Диоды
Прибор | Характеристики | Информация | ||
---|---|---|---|---|
Световой прибор на светодиодах предназначен для выдачи световой сигнализации и устанавливаются в корпуса изделий типа ТСБ.
|
Цена: по запросу
|
|||
Сборка диодная 2ДШ142АС9 состоит из двух соединенных последовательно диодов с барьером Шоттки. Предназначен для использования в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, генераторах, детекторах и других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Ближайший функциональный аналог: HSMS2802 для 2ДШ142АС9, |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|||
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д907Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий - дР3.362.014 ТУ. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|||
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д907Б-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий - дР3.362.014 ТУ. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|||
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д918Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий - ДР3.362.036 ТУ. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|||
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д918Б-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий - ДР3.362.036 ТУ. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|||
Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) 2Д908А предназначена для работы в аппаратуре специального назначения. Обозначение технических условий - дР3.362.026 ТУ. Корпусное исполнение металлостеклянный корпус 4112.12-1. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|||
Набор двух мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с общим анодом КД642АС предназначен для работы в импульсных источниках питания, а также других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|||
Набор двух мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с общим катодом КД638АС1 предназначены для работы в импульсных источниках питания, а также других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. В отличии от модификации КД638АС, данные диоды имеют корпус КТ-90. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|||
Набор двух мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с общим катодом КД638АС предназначены для работы в импульсных источниках питания, а также других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- следующая ›
- последняя »