Транзистор
| Прибор | Характеристики | Информация |
|---|---|---|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные выпрямительные наборы диодов с общим катодом КД130АС и с общим анодом КД130АС1 в пластмассовом корпусе предназначены для работы в аппаратуре широкого применения, изготавливаемые для
|
||
|
Кремниевые импульсные эпитаксиально-планарные наборы двух последовательно соединенных диодов КД629АС9 в пластмассовом корпусе, предназначенные для применения в качестве элементов в гибридных микросхемах,
|
||
|
Сборка диодная КД704АС9/ИМ кремниевая эпитаксиально-планарная, импульсная, состоящая из двух диодов, с общим катодом, в пластмассовом корпусе КТ-46А, предназначена для использования в гибридных схемах с общей
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные бескорпусные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) с гибкими выводами без кристаллодержателя КД907Б-1, КД907Г-1, предназначенные для применения в составе гибридных
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) КД908А в металлостеклянном корпусе, изготавливаемые для нужд народного хозяйства.
Основные электрические
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) КД917А в металлостеклянном корпусе, изготавливаемые для нужд народного хозяйства.
Основные электрические
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) КД918Б-1, КД918Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) КДС627А в металлокерамическом корпусе, предназначенные для работы в аппаратуре, изготавливаемой для нужд народного
|
||
|
Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) КДС628А в металлокерамическом корпусе, предназначенная для работы в аппаратуре, изготавливаемой для нужд народного
|
||
|
КМОП интегральная микросхема 1564ИВ3 представляет собой шифратор приоритетов 10-4, предназначенный для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Зарубежный прототип 54НС147. Обозначение
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »