Транзистор
| Прибор | Характеристики | Информация |
|---|---|---|
|
Кремниевые мощные выпрямительно-ограничительные диоды "КД2972" (диоды Зенера) предназначены для защиты от кондуктивных помех по цепям питания бортовой сети автомобилей, выпрямления тока и ограничения напряжения в
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально - планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы «2П7145А-5/ИМ» предназначены для работы в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально - планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы 2П7145А1/ИМ в металлокерамическом корпусе КТ-97С предназначены для работы в преобразователях напряжения, источниках вторичного
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально - планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы «2П7145Б1/ИМ» предназначены для работы в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы 2П771А-6 с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы «2П771А91» с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы «2П771А» с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы «2П771А-5» с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре
|
||
|
Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные n-p-n типа транзисторы "2Т8224А-5", поставляемые на общей пластине (неразделенные), предназначены для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах,
|
||
|
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной n-р-n транзистор Дарлингтона "2ТД543А9" предназначен для использования в специализированных усилителях с большим коэффициентом усиления, электронных
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »