Транзистор
| Прибор | Характеристики | Информация |
|---|---|---|
|
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор "2Т610Б" в металлическом корпусе. Предназначен для использования в аппаратуре связи и других радиотехнических устройствах специального
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы 2Т624АМ-2 предназначены для применения в системах памяти ЭВМ в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту
|
||
|
Кремниевый эпитаксиально-планарный быстродействующий импульсный n-p-n транзистор "2Т633А" в металлическом корпусе с изоляторами, предназначенный для работы в аппаратуре специального назначения. Диапазон рабочих
|
||
|
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор "2Т637А-2" предназначен для применения в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и преобразования частоты в схеме с общей базой в составе гибридных
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные СВЧ - генераторные n-p-n бескорпусные транзисторы "2Т649А-2" предназначены для применения в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и преобразования частоты в
|
||
|
Бескорпусные транзисторы 2Т652А-2 предназначены для применения в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С. Обозначение
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные бескорпусные n-p-n транзисторы "2Т672А-2" предназначены для применения в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Диапазон рабочих
|
||
|
Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор предназначен для использования в оперативных и постоянных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Обозначение технических
|
||
|
Кремниевый эпитаксиально-планарный импульсный бескорпусный n-p-n транзистор 2Т3160А-2 предназначен для применения в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Обозначение технических
|
||
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n бескорпусные высокочастотные транзисторы "2Т331А-5" поставляемые на общей пластине (неразделенными), предназначенные для применения в усилительных устройствах с низким уровнем
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »